2022 下半年將量產 8 吋基板,至 2025 年第三類功率半導體 CAGR 達 48%

作者 | 發布日期 2022 年 03 月 10 日 13:55 | 分類 材料、設備 , 零組件 , 電動車 Telegram share ! follow us in feedly


目前最具發展潛力的材料即為具備高功率及高頻率特性的寬能隙(Wide Band Gap,WBG)半導體,包含碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN),主要應用大宗為電動車、快充市場。據 TrendForce 研究推估,第三類功率半導體產值將從 2021 年的 9.8 億美元,至 2025 年將成長 CAGR 至 47.1 億美元,年複合成長率達 48%。

SiC適合高功率應用,如儲能、風電、太陽能、電動車、新能源車等對電池系統具高度要求的產業。其中,電動車備受市場關注,不過目前市售電動車所搭載的功率半導體多數為矽基材料(Si base),如Si IGBT、Si MOSFET,但由於電動車電池動力系統逐步往800V以上的高電壓發展,相較於Si,SiC在高壓的系統中有更好的性能體現,有望逐步替代部分Si base設計,大幅提高汽車性能並優化整車架構,預估SiC功率半導體至2025年可達33.9億美元。

GaN適合高頻率應用,包括通訊裝置,以及用於手機、平板、筆電的快充。相較於傳統快充,GaN快充擁有更大的功率密度,故充電速度更快,且體積更小便於攜帶,吸引不少OEM、 ODM業者加入而開始高速發展,預估GaN功率半導體至2025年可達13.2億美元。

TrendForce特別提到,相較傳統Si base,第三類功率半導體基板製造難度較高且成本較為昂貴,目前在各大基板供應商的開發下,包括Wolfspeed、II- VI、Qromis等業者陸續擴增產能,並將在2022下半年量產8吋基板,預期第三類功率半導體未來幾年產值仍有成長的空間。

(首圖來源:shutterstock)