搞懂第三代半導體與前兩代的差異關鍵,不同世代半導體的消長與共存 作者 Evan | 發布日期 2021 年 09 月 22 日 9:15 | 分類 IC 設計 , 封裝測試 , 晶圓 | edit 隨著全球進入 IoT、5G、綠能、電動車時代,能徹底展現耐高壓、高溫、高頻能耐,並滿足當前主流應用對高能源轉換效率要求的寬能隙(Wide Band Gap,WBG)半導體開始成為市場寵兒,半導體材料於焉揭開第三代半導體新紀元的序幕。 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: GaAs , GaN , SiC , WBG , 寬能隙半導體 , 氮化鎵 , 砷化鎵 , 碳化矽 , 第三代半導體