搞懂第三代半導體與前兩代的差異關鍵,不同世代半導體的消長與共存

作者 | 發布日期 2021 年 09 月 22 日 9:15 | 分類 IC 設計 , 封裝測試 , 晶圓 line share follow us in feedly line share
搞懂第三代半導體與前兩代的差異關鍵,不同世代半導體的消長與共存


隨著全球進入 IoT、5G、綠能、電動車時代,能徹底展現耐高壓、高溫、高頻能耐,並滿足當前主流應用對高能源轉換效率要求的寬能隙(Wide Band Gap,WBG)半導體開始成為市場寵兒,半導體材料於焉揭開第三代半導體新紀元的序幕。