隨著 AI 晶片需求暴增，現有的 HBM（高頻寬記憶體）面臨缺貨、價格高昂及高功耗等挑戰，業界甚至開始尋求 LPDDR 做為替代方案。對此，半導體大廠英特爾最新曝光了名為「XBM」（Cross-Batch Memory）的超高頻寬記憶體架構專利，目的在未來取代 HBM4，並期望透過更低的成本與更高的頻寬來解決現有瓶頸。該技術預計將與英特爾的另一項 ZAM（Z-Angle Memory）技術同步，瞄準 2030 年之後的商業化市場。
英特爾研發 XBM 次世代記憶體架構挑戰 HBM4，規劃 2030 年進入商業化市場 |
作者
Atkinson|發布日期
2026 年 07 月 08 日 7:15 |
|
