SK Hynix、AMD 傳將攜手量產高頻寬記憶體

作者 | 發布日期 2013 年 12 月 20 日 17:38 | 分類 即時新聞 , 晶片 , 熱門網摘
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為了滿足市場對記憶體的需求,南韓大廠SK Hynix將與超微(AMD)攜手量產高頻寬記憶體(high bandwidth memory, HBM)。



韓國時報(The Korea Times)報導,SK hynix一名主管19日在接受專訪時表示,該公司將自 2014 年下半年起採用直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via, TSV)封裝技術和超微攜手量產HBM晶片,量產地點將選在位於南韓京畿道(Gyeonggi Province)利川市(Icheon)的DRAM廠。該名SK hynix主管指出,HBM晶片會在明年上半年開始送樣。他並未透露會HBM晶片的客戶是哪幾家廠商。

SK hynix是業界第一家確認將要生產這種次世代晶片的廠商。HBM晶片不但提升了記憶體效能,同時還大幅降低了耗電量,一開始會應用在高階的繪圖處理器,之後則會整合至超級電腦、網路與伺服器。

相較之下,三星電子(Samsung Electronics Co.)也已為使用TSV封裝技術的晶片併購了所需科技,但該公司並未透露太多訊息。三星發言人Lee Won-ho表示,TSV記憶體的量產時程還未決定,這要看客戶的需求而定。

 

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