全球首見!3-bit NAND flash 由平面走向 3D、三星量產

作者 | 發布日期 2014 年 10 月 09 日 14:19 | 分類 晶片
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三星電子(Samsung Electronics)9 日宣布量產業界首見的 3-bit 3D 記憶體 NAND flash 晶片,可用於 SSD 硬碟,提升儲存效率。



韓聯社報導,三星 8 月首次發表這款記憶晶片,每個記憶單元(cell)皆可儲存 3 bit 數據,之前 3-bit 技術僅用於平面(Planar)NAND flash,如今拓展用途,使用於 3D NAND flash。

新款 3-bit 3D 晶片採用第二代 V-NAND 技術,垂直堆疊 32 層,整合程度比 24 層晶片高出 30%。NAND flash 多用於智慧手機、平板等行動裝置,電源關閉後,儲存內容也不會消失。

DRAMeXchange 數據顯示,今年第 2 季,三星電子 NAND flash 市佔率達 30.8%,季增 0.8%。

BusinessKorea 9 月 16 日報導,2000 年中期以來,NAND flash 製程從 40 奈米一路降至 16 奈米,業界專家認為 14 奈米將是微縮製程極限,因為 10 奈米 NAND flash 技術上雖然可行,可是所需的設備投資過高,就算生產也難以獲利。

微縮製程遭遇瓶頸,業者因此另闢蹊徑,改採 3D 垂直架構。報導稱,其中三星電子技術最為先進,今年 5 月推出業界首見 V-NAND 技術堆疊 32 層,高於前代的 24 層。部分專家預估,三星可能已經完成 48 層堆疊的原型技術。另外 SK 海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)等也投入研發。

(MoneyDJ新聞  記者 陳苓 報導)

首圖來源:三星 

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