主流型 DRAM 中國有錢也不一定玩得起來

作者 | 發布日期 2015 年 04 月 22 日 14:16 | 分類 晶片
取自路透

中國發展半導體產業,從武岳峰等資本公司聯合收購 ISSI,到面板廠京東方宣告進入 DRAM 市場,搶進 DRAM 市場的意圖愈發明顯,然而,挾著重金,外界擔心中國 DRAM 廠將使現在漸趨平衡的生態再起波瀾,中國進入市場對於台廠又會造成什麼樣的威脅,研究機構 Bernstein Research 從幾個面向分析,認為中國若朝主流 DRAM 發展勝算並不大。



中國記憶體產業布局仍未明朗

中國國家積體電路產業投資基金宣告投入 1,200 億人民幣(約合 6,080 億新台幣),今年 3 月中國武岳峰資本等公司資本聯合買下 ISSI (Integrated Silicon Solution),宣告中國半導體布局伸向 DRAM 產業,ISSI 主要發展利基型 DRAM 與 SRAM,外界預估對主流記憶體市場的影響並不大。

4 月初再傳中國面板廠京東方也意圖進入記憶體市場,中國芯謀研究(ICwise )首席半導體分析師顧文軍發文指稱,京東方決定涉足記憶體市場的新聞為子虛烏有,但也未把話說死,顧同篇發言也引述京東方董事長王東升先前強調會關注並且涉足半導體的發言。至少在短期之間,京東方進軍 DRAM 產業仍未明朗。

據悉,中國半導體扶植政策下,將選擇一個省市設置本土的 DRAM 廠,上海、北京、合肥等五個省市爭取之中,誰能勝出、策略為何也還未有定數。

比較確定的是,武漢新芯集成電路(XMC) 今年 2 月宣布與美國 NOR 快閃記憶體領導廠商 Spansion 合作研發 3D NAND 技術,第一個產品預計於 2017 年問世。目前 3D NAND 技術除了三星已正式量產,其他大廠仍處送樣階段或預計下半年小規模量產。技術仍屬起步階段,製作成本仍高,武漢新芯與 Spansion 發展 3D NAND 技術,還得視能否兼顧成本以及每個記憶體的電性表現。

鉅額投資不一定取得了市佔

記憶體產業為典型資本密集與技術密集產業。先從資本談起,光土地、廠房不含設備,可能就得耗掉 150~200 億台幣,研究機構 Bernstein 預估,若要取得 DRAM 或 NAND Flash 其中一個市場的一席之地,至少需 15% 左右的市佔,以 2014 年第四季產能來估算,一個月產出得達 20 萬片(資本支出大約在 200 億美元,約 6,260 億新台幣左右)。

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追逐市佔的過程中,若產能一個月增加到 20 萬片的幅度,市場將出現超額供給,對於初期生產成本較高的新進者而言,價格會掉到成本以下,新進者即便前面 16~24 個月之間投入 200 億美元以上的資本支出,十年內仍會落後產業先進者一個世代以上。Bernstein 預估,新進者投入 DRAM 產業,將得承受前面十年 400 億美元(約 1.3 兆新台幣)的虧損,投入 NAND 產業前面十年也要有面臨 350 億美元(約 1.1 兆新台幣)損失的心理準備。

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▲ Bernstein 預估 DRAM 產業新進者,前十年將得面對 400 億美元以上的虧損。

即便付出了大把銀兩,也無法保證在這產業勝券在握,台灣就是一個血淋淋的例子。

1990 年代~2010 年台灣投入了超過 500 億美元(約 1.6 兆新台幣)發展記憶體產業,就為了取得一定的市佔,在 2004~2006 年產業一片榮景之下,更是大舉擴充產能,然 2007 年產能開始過剩,DRAM 價格暴跌,2008 年金融海嘯後,情況更為嚴峻,台廠躊躇是否投資之際,2010 年三星資本支出翻倍至 18 兆韓圜(約 5,578 億新台幣),傾力發展 DRAM 技術,血洗了當時產業,缺乏自有技術、不堪虧損台廠後來也敗下陣來。

2001~2010 年十年之間,DRAM 市場擁有 80 億美元的獲利,倘若排除三星所賺的 170 億美元,整個 DRAM 市場虧了 90 億美元,排除韓廠,整個產業虧損更是將近 130 億美元。在這期間德國大廠奇夢達破產倒閉,台灣力晶與茂德嚴重虧損面臨重整,南亞科也轉進利基型晶片,市場份額不復以往,台廠中較具規模的只剩美光入股的華亞科。

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爾後,台廠製程技術始終落後三星等 DRAM 領導廠商一個世代,成本也因此居高不下,最終茂德與力晶也退出 DRAM 市場,前者轉型 IC 設計,後者轉入晶圓代工市場。

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龐大技術壁壘待克服

挺得住金錢的損失,背後還有龐大的技術壁壘需克服,記憶體產業複雜性高,在 DRAM 產業即便是成立已久的華亞科與南亞科,發展先進製程仍需美光的技術授權。

而美光在 NAND 產業成了後進之輩(進入時間 2004 年),與 SK 海力士(進入時間 2003 年),即便在 NAND 業務的利潤毫不遜色,但在十餘年之後,技術仍落後於東芝 SanDisk 與三星等領導者。

三星、SanDisk、東芝等先進者紛紛轉進較具成本優勢的 TLC(3bit MLC),調研機構 DRAMeXchange 預估 2015 年 TLC 產出比重將逐漸攀升,第四季甚至接近整體 NAND Flash 產出,然從下圖表一可看出,2014 年第四季產業後進的美光與 SK 海力士還未能發展出 TLC 技術,此外,三星與海力士每年仍需付出收益的 2~3% 做為技術授權費用給 SanDisk(圖表二)。

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▲圖表一

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▲圖表二

記憶體產業技術日趨複雜,且單一技術發展已現瓶頸,如行動裝置需求爆發下,有望取代 eMMC 成為 NAND Flash 的最大應用的 eMCP 技術,就得結合 DRAM。記憶體也日漸講求解決方案,如何結合系統技術或軟體商也變得比以往都來得重要。除了武漢新芯與  Spansion 的合作,武漢新芯與中芯國際也曾找過台灣 NOR 大廠旺宏尋求合作,但已遭拒,中國在記憶體產業上還未有更多合作夥伴現身。

Bernstein 認為,鉅額資金與龐大技術壁壘,中國走向主流記憶體產業,發展高密度記憶體產品並非易事,相反地,在物聯網裝置蓬勃發展下,相關的低密度記憶體應用,可能是中國初進記憶體市場較可能的發展路徑。

(首圖來源:達志影像)

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