日本將晶片耗電力降至 1/10,聯電將導入新技術生產

作者 | 發布日期 2015 年 05 月 28 日 13:00 | 分類 手機 , 晶片 follow us in feedly

日經新聞 28 日報導,日本半導體(晶片)、液晶技術研發機構「日本半導體能源研究所(SEL、Semiconductor Energy Laboratory)」已研發出可將耗電力壓縮至現行 1/10 以下水準的次世代晶片量產技術,且台灣晶圓代工大廠聯電(UMC)將搶先在 2016 年夏天開始生產採用上述技術的 CPU、記憶體產品。




報導指出,SEL 捨棄現行主流的矽、改用被稱為「IGZO」的氧化物半導體的特殊結晶體,藉由形成多層電子電路(electronic circuit)、防止電流外漏,藉此達到省電的效果,除可大幅改善智慧手機等電子機器的電池壽命之外,也有望促進智慧手錶等穿戴式裝置的普及速度。

據報導,除 CPU、記憶體之外,上述新技術也可應用在感測器、邏輯積體電路(IC)等廣泛半導體產品上,藉此可將智慧手錶等穿戴式裝置的電池壽命延長至現行的約 10 倍水準,而 SLE 計劃將該技術賣給全球半導體廠商,藉此收取特許費。

報導並指出,今後半導體基礎材料可能將從現行主流的矽轉換成 IGZO 特殊結晶體,而美國英特爾(Intel)、南韓三星電子(Samsung Electronics)等全球半導體大廠也正持續關注此種技術動向。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載) 

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