武漢新芯統籌中國 DRAM 產業發展,將匯集三大技術成為記憶體晶片基地

作者 | 發布日期 2015 年 06 月 29 日 15:25 | 分類 中國觀察 , 晶片 follow us in feedly

2014 年 10 月 14 日中國工信部宣布國家積體電路產業投資基金(中國簡稱大基金)成立,進軍 DRAM 領域成為中國半導體計畫的第一步。期間經過中國六大地方政府競逐 DRAM 生產基地,各地方政府也努力的尋找技術、人力、財力及資源,希望躋身為中國半導體領域的重要省份。



經過激烈的競爭,直至近日,中國工信部電子信息司司長丁文武主導的半導體小組屬意武漢新芯成為中國 DRAM 產業發展計畫的首要重點區域,未來可能由趙海軍領軍並以武漢新芯做為增資平台。TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 指出,除了大基金外,中芯國際、湖北省科技投資集團、湖北基金、華芯投資等都會投資,遠期計畫要募集到 240 億美元的規模,長期產能目標達每月 30 萬片,正式展開中國 DRAM 產業發展的計畫。

匯集 DRAM、3D NAND 與 NOR 三大技術

武漢新芯成立於 2006 年,是湖北省與武漢市的重大戰略投資項目,2008 年 12 吋正式完工並開始投片,原為中芯國際旗下的一座工廠,後來 2013 年中芯國際退出營運,武漢新芯正式獨立成單一公司,由武漢市政府負責,經營團隊多在國際半導體公司都有歷練,具有相當的技術根基。武漢新芯位處東湖開發區,佔地達 531 畝,目前有一座 12 吋晶圓廠運作中,現有工廠初期產品以 NOR 為主,2015 年年初正式與 Spansion 合作,展開 3D NAND 的技術開發。從目前工廠規模來看,武漢新芯一廠投片已接近滿載水位,倘若再加上 DRAM 產能,勢必將再興建另一座 12 吋晶圓廠來滿足未來產能的需求。 DRAMeXchange 預估,未來武漢新芯將匯集 DRAM、3D NAND 與 NOR 技術成為中國半導體產業的技術領頭羊,且將至少擁有二座 12 吋晶圓廠的中國記憶體晶片基地。

(首圖來源:Flickr/Dick Thomas Johnson CC BY 2.0) 

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