與台積電較勁!三星:10 奈米 FinFET 正式納開發藍圖

作者 | 發布日期 2015 年 07 月 24 日 9:15 | 分類 晶片 follow us in feedly
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三星電子(Samsung Electronics Co.)為了避免客戶轉單給台積電,已正式將 10 奈米 FinFET 納入半導體製程技術的開發藍圖(Roadmap)!



Androidheadlines.com、Fudzilla 22 日報導,三星晶圓代工事業部(Samsung Foundry)發言人 Kelvin Low 21 日在 YouTube 發布影片宣布,三星已在 6 月份正式將 10 奈米 FinFET 製程納入開發藍圖,預計明(2016)年底就能進入量產的階段。

他指出,對行動、消費與網路產品的晶片設計商而言,10 奈米 FinFET 能顯著提升晶片的運算效能與省電表現。

三星、台積電相互較勁的意味相當濃厚。台積電甫於 5 月 21 日發布新聞稿宣布,位於中科的台積晶圓十五廠新建廠區,將用於 10 奈米技術的量產,預計在明年中開始安裝機台,並於後年生產。

EE Times 隨即於 5 月 22 日報導,三星在一場公司會議上宣布了 10 奈米的消息,並透露這個製程明(2016)年底就會全面投產,與台積電的時程大致相同。三星晶圓代工部門副總裁 Hong Hao 表示,該公司的 10 奈米製程在電力、面積與效能方面擁有強大優勢,應用的市場非常廣泛。

Fudzilla 日前報導,被台積電寄予厚望的 10 奈米研發進度目前已上軌道,預計在 2016 年第四季導入量產、2017 年第一季出貨。另外,台積電對 10 奈米與 7 奈米的製程布局採同步進行,台積電共同執行長劉德音(Mark Liu)透露更先進的 7 奈米在 2017 年第二季也將進入製樣認證階段,距離 10 奈米製樣僅相隔 5 季的時間,如與英特爾(Intel Corp.)放慢腳步作對照,台積電衝刺先進製程顯得非常積極。

VR-Zone、G 4 Games 2 月 25 日引述 ZDNet Korea 報導,三星電子曾在 2 月 22-26 日於舊金山舉辦的國際固態電路會議(International Solid State Circuit Conference,ISSCC)上展示了全球首見的 10 奈米 FinFET 半導體製程,有望搶在英特爾之前打造出第一款 10 奈米行動晶片組。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載)

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