DRAM 將掀「1x nm」大戰!三星搶 Q1 量產

作者 | 發布日期 2015 年 12 月 30 日 15:42 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件 follow us in feedly
FLICKR James Bowe

日本總和情報網站 Gadget 速報 30 日轉述南韓科技媒體 ETNews 的報導指出,三星電子預估將在明年 Q1(2016 年 1-3 月)開始量產 1x-nano(18nm)DRAM 產品,且預估最遲也會在 Q2 量產。報導指出,三星開始量產 18nm DRAM 之後,有望藉此降低製造成本、提高獲利,而三星競爭對手南韓 SK Hynix 和美國美光(Micron)也預估將跟隨三星腳步於 2016 年內量產 1x nm 等級的 DRAM 產品,也宣布 DRAM 將進入「1x nm」大戰。




報導並指出,目前 DRAM 價格持續下滑,且此種情勢在明年也將持續上演,根據市場研究機構 TrendForce 旗下內存儲存事業處 DRAMeXchange 指出,2015 年 11 月 4GB DDR3 DRAM 合約價為 1.27 美元,較今年 1 月時的價格相比驟減了 49.1%。

據報導,三星在 2014 年搶得頭香,領先同業率先量產 20nm DRAM 產品,而在 1X nm 領域上,三星也有望拔得頭籌。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:Flickr/James BoweCC BY 2.0)

延伸閱讀:

關鍵字: , , ,

發表迴響