東芝傳攜 SanDisk 砸 4 千億日圓增 3D Flash 產能

作者 | 發布日期 2016 年 01 月 11 日 10:35 | 分類 晶片 , 零組件 line share follow us in feedly line share
東芝傳攜 SanDisk 砸 4 千億日圓增 3D Flash 產能


南韓三星電子(Samsung)領先全球同業,於 2014 年 10 月搶先量產 3D 架構的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)產品,不過三星競爭對手東芝(Toshiba)也拚了,除 3D Flash 專用廠房於 2015 年啟用之外,還傳出將海砸 4,000 億日圓倍增 3D Flash 產能。

日本媒體日刊工業新聞 8 日報導,東芝計劃攜手 SanDisk 在日本三重縣四日市市興建一座 NAND Flash 新工廠,最快將在 2017 年度啟用量產,目標為藉此將採用 3D 架構的 NAND Flash 產能提高至現行 2 倍水準。據報導,上述 NAND Flash 新廠將座落在現行四日市工廠附近,預計將在 2016 年度動工興建,投資額將超過 4,000 億日圓,設備投資費用將由東芝和 SanDisk 均攤。

報導指出,3D Flash 需求看俏,東芝位於四日市工廠內的 3D Flash 專用廠房甫於 2015 年啟用,而東芝計劃藉由興建上述新工廠,來確保有充足的 3D Flash 產能,以因應市場需求。據報導,3D Flash 設備投資競爭激烈,南韓三星電子已利用中國西安工廠量產 3D Flash,美國美光(Micron)、南韓 SK Hynix 也已導入生產。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:Flickr/The Conmunity – Pop Culture Geek CC BY 2.0)

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