東芝攜手 SanDisk 衝刺 3D Flash,2016 年 Q1 生產

作者 | 發布日期 2015 年 10 月 21 日 14:30 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件 follow us in feedly

南韓三星電子(Samsung Electronics)領先全球同業,於去年 10 月搶先量產 3D 架構的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)產品,而三星競爭對手東芝(Toshiba)目前除藉由 15nm 製程 NAND Flash 對抗三星 3D NAND Flash 產品之外,現在也將攜手 SanDisk 衝刺 3D NAND Flash,計劃於明年第 1 季(2016 年 1-3 月)開始生產 3D 產品。




東芝 21 日發布新聞稿宣布,於去年 9 月動工進行改建的 NAND Flash 生產據點「四日市工廠」第 2 廠房(以下稱新第 2 廠房)部份工程已完工,且東芝已和 SanDisk 簽訂正式契約,將攜手對新第 2 廠房進行設備投資。

東芝指出,上述新第 2 廠房將在 2015 年度第 4 季(2016 年 1-3 月)開始進行生產,且期望藉由該廠房建構 3D NAND Flash 的生產體制,藉此加快 2D NAND Flash 產品轉換至 3D NAND Flash 的速度。

東芝表示,該新第 2 廠房所有改建工程預計將在 2016 年上半年內完工,而其具體產能、生產計畫等細節將待評估市場動向後再行決定。

根據嘉實 XQ 全球贏家系統報價,截至台北時間 21 日 13 點 05 分為止,東芝上揚 0.6% 至 337 日圓;今年迄今東芝跌幅高達約 34%,表現遠遜於日經 225 指數的上揚約 6%。

費城半導體指數成分股 SanDisk 20 日收盤大漲 4.43% 至 75.19 美元,已連 5 個交易日上揚,且創 7 個月來(3 月 25 日以來)收盤新高水準。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:Flickr/LG전자 CC BY 2.0)

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