21 日科技新報才揭露，統籌中國記憶體規劃的武漢新芯新廠將於 28 日舉行動土儀式，基地啟動典禮於今早在武漢東湖高新區舉行，中國記憶體產業再跨一大步。
今 28 日由武漢新芯所擘劃的記憶體基地於武漢東湖高新區舉行啟動典禮，除了武漢新芯CEO 楊世寧，包含清大微電子所所長魏少軍、中國科學院微電子研究所所長葉甜春也到場出席動土，魏與葉也同時為統籌中國核心電子元件、高階晶片及整體奈米製程發展等項目的國家 01 、02 專項總師。
該記憶體基地五年內投資金額將達 240 億美元，包括中國大基金、湖北省積體電路產業投資基金、國開發展基金、湖北省科技投資集團皆參與投資，在武漢新芯基礎上組建一家記憶體公司，做為記憶體基地專案實施主體公司。
據科技新報取得的消息，新的記憶體基地將分三期，總規劃面積約 100 萬平方米，一期將於今年 8 月正式開工，預計 2018 年建設完成，月產能約 20 萬片，而官方目標到 2020 年基地總產能達 30 萬片/月、2030 年來到 100 萬片/月。
據悉，官方期望這一記憶體基地專案能集記憶體產品設計、技術研發、晶圓生產於測試、銷售於一體，但初步將先行建造 Flash 廠，同樣生產 NOR 型 Flash，並逐步移轉至 NAND Flash 產品，甚至 3D NAND Flash，2015 年 5 月，武漢新芯才與 NOR 記憶體廠商飛索半導體（Spansion）簽訂合作協議與交叉授權發展 3D NAND Flash 技術，調研機構集邦科技預估，武漢新芯將在 2017 年底或 2018 年初推出 3D-NAND Flash 的產品來切入閃存儲存產業，透過盡早導入新技術的方式，縮短與現今國際 NAND Flash 大廠的差距。
此次啟動的記憶體基地專案所在的東湖高新區，為繼北京中關村後的第 2 個國家自主創新示範區，被譽為「中國光谷」，已成為中國高新科技產業和參與國際競爭的主力軍，2015 年企業總收入突破兆元人民幣。在 115 個中國國家級高新區中綜合排名第三、科技創新能力排名第二。
官方稱，武漢新芯記憶體基地專案建成後，可帶動設計、封裝、製造、應用等晶片產業相關環節的發展，集合已經在光谷地區形成規模的顯示產業（天馬、華星光電）、智慧手機產業（華為、聯想、富士康），打造萬億級的晶片─顯示─智慧手機全產業鏈生態體系。
