武漢新芯記憶體基地正式啟動,目標成月產能 100 萬片半導體巨人!

作者 | 發布日期 2016 年 03 月 28 日 12:25 | 分類 中國觀察 , 晶片 , 零組件 follow us in feedly

21 日科技新報才揭露,統籌中國記憶體規劃的武漢新芯新廠將於 28 日舉行動土儀式,基地啟動典禮於今早在武漢東湖高新區舉行,中國記憶體產業再跨一大步。



今 28 日由武漢新芯所擘劃的記憶體基地於武漢東湖高新區舉行啟動典禮,除了武漢新芯CEO 楊世寧,包含清大微電子所所長魏少軍、中國科學院微電子研究所所長葉甜春也到場出席動土,魏與葉也同時為統籌中國核心電子元件、高階晶片及整體奈米製程發展等項目的國家 01 、02 專項總師。

該記憶體基地五年內投資金額將達 240 億美元,包括中國大基金、湖北省積體電路產業投資基金、國開發展基金、湖北省科技投資集團皆參與投資,在武漢新芯基礎上組建一家記憶體公司,做為記憶體基地專案實施主體公司。

據科技新報取得的消息,新的記憶體基地將分三期,總規劃面積約 100 萬平方米,一期將於今年 8 月正式開工,預計 2018 年建設完成,月產能約 20 萬片,而官方目標到 2020 年基地總產能達 30 萬片/月、2030 年來到 100 萬片/月。

據悉,官方期望這一記憶體基地專案能集記憶體產品設計、技術研發、晶圓生產於測試、銷售於一體,但初步將先行建造 Flash 廠,同樣生產 NOR 型 Flash,並逐步移轉至 NAND Flash 產品,甚至 3D NAND Flash,2015 年 5 月,武漢新芯才與 NOR 記憶體廠商飛索半導體(Spansion)簽訂合作協議與交叉授權發展 3D NAND Flash 技術,調研機構集邦科技預估,武漢新芯將在 2017 年底或 2018 年初推出 3D-NAND Flash 的產品來切入閃存儲存產業,透過盡早導入新技術的方式,縮短與現今國際 NAND Flash 大廠的差距。

此次啟動的記憶體基地專案所在的東湖高新區,為繼北京中關村後的第 2 個國家自主創新示範區,被譽為「中國光谷」,已成為中國高新科技產業和參與國際競爭的主力軍,2015 年企業總收入突破兆元人民幣。在 115 個中國國家級高新區中綜合排名第三、科技創新能力排名第二。

官方稱,武漢新芯記憶體基地專案建成後,可帶動設計、封裝、製造、應用等晶片產業相關環節的發展,集合已經在光谷地區形成規模的顯示產業(天馬、華星光電)、智慧手機產業(華為、聯想、富士康),打造萬億級的晶片─顯示─智慧手機全產業鏈生態體系。

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