近年因行動裝置和物聯網快速成長,如何處理龐大資料也成了背後關鍵技術。IBM 研發出比快閃記憶體更快、比 DRAM 更可靠的光學儲存科技,有望成為新一代的資料處理科技,電腦、手機、物聯網和雲端人工智慧產業皆可受惠。
▲ IBM 研發儲存技術有新突破。(Source:IBM Research)
根據《TheVerge》報導,這項技術叫「相變化記憶體(Phase-change memory,PCM)」,透過改變 PCM 上硫化物型態所產生的不同電流來讀寫資料。因具有讀寫速度快、耐用、非揮發性(non-volatility)等優勢,一直被視為儲存科技的潛力股,但在過去受限於成本過高和儲存有限,一個儲存單位(cell)僅能存 1bit,難以應用於電腦和行動裝置上,僅被用在藍光光碟。現在,IBM 研發出 PCM 每儲存單位可存 3bit 而不受周圍溫度影響,突破儲存密度的限制可讓 PCM 的成本遠低於 DRAM,大幅度提升 PCM 實際應用於商業的可能。
不像 DRAM 在中斷電力後會失去資料,PCM 和快閃記憶體一樣,在失去電力的情況下也可暫存資料。跟快閃記憶體相比,PCM 可寫入至少 1 千萬次,快閃記憶體平均僅能寫入約 3,000 次。此外,根據《Engadget》報導,PCM 的讀取速度少於 1 微秒,快閃記憶體則約 70 微秒。這些特性讓 PCM 有望成為改變資料處理的革新技術。
▲ PCM 與現有儲存技術相比。(Source:IBM Research)
PCM 的技術革新對電腦和手機都有重要影響力。根據 IBM 的說法,PCM 可用來取代目前 RAM 在桌機的應用,此外,透過使用 PCM 和快閃記憶體的混合形式,也可大幅提升行動裝置的速度。「例如,手機作業系統可儲存於 PCM,幾秒內就可開機。從企業端來看,可將資料庫儲存在 PCM,加快時間至上的線上服務,例如金融交易。」IBM 新聞稿指出。雲端人工智慧應用也可受惠於 PCM,IBM 表示:「使用大量資料庫的機器學習演算法,可在每次重複讀取資料時減少延遲時間,加快進展速度。」
- IBM Scientists Achieve Storage Memory Breakthrough
- IBM’s phase-change memory is faster than flash and more reliable than RAM
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(本文由 數位時代 授權轉載;首圖來源:Flickr/IBM Research CC BY 2.0)