中國記憶體三大勢力成形,開產能、急建廠力拚 2018 量產

作者 | 發布日期 2016 年 11 月 14 日 20:39 | 分類 晶片 , 記憶體
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記憶體產業在歷經價格血戰成了三強鼎立的寡佔市場,中國在市場、國安考量力求在記憶體有所突圍,原先的紫光、武漢新芯從各自進擊到合體發展,另外兩組勢力在聯電、中芯老將輔佐下也積極展開布局,中國記憶體鐵三角逐步成形。



紫光集團先前欲併購美光、與 SK 海力士談授權最後都無疾而終,最終與獲得中國記憶體統籌資源的武漢新芯合併,進一步成立長江存儲公司,由紫光董事長趙偉國兼任長江存儲董事長,大基金總經理丁文武出任副董事長,並由原武漢新芯執行長楊士寧出任總經理負責 NAND Flash 擘劃,轉戰紫光的前華亞科董事長則任長江存儲營運長重起爐灶籌備 DRAM建廠。

武漢新芯記憶體基地已在 2016 年 3 月底動土,根據科技新報先前取得的消息,新的記憶體基地將分三期,總規劃面積約 100 萬平方米,一期於 8 月開工、預計 2018 年建設完成,月產能約 20 萬片,而官方目標到 2020 年基地總產能達 30 萬片/月、2030 年來到 100 萬片/月。第一步已與 NOR 記憶體廠商飛索半導體(Spansion)簽訂技術授權,從 3D NAND Flash 下手,並預計 2017 有能力推出 32 層堆疊、2018 年推出 48 層堆疊 3D NAND Flash。在 DRAM 進展上與美光洽談技術授權還未有眉目,也有消息指出,高啟全正招兵買馬透過人脈挖角台灣 DRAM 相關人才,或為自行建廠做準備。

在 DRAM 進展有較大突破的為福建後起勢力,福建省政府在 5 月宣布,所投資的晉華集成與聯電簽訂技術合作協定,由聯電接受晉華委託開發 DRAM 相關製程技術,生產利基型 DRAM,團隊由瑞晶、美光台灣前總經理、現任聯電資深副總經理陳正坤領軍,在 7 月 12 吋廠建廠奠基的同時,已在台灣南科建立小型試產線,據了解初期將導入 32 奈米,但最終目標其實放在 25 奈米以下製程,以求與其他 DRAM 大廠不致有太大落差,初步產能規劃每月 6 萬片,估計 2017 年底完成技術開發,2018 年 9 月試產,並在 2019 年以前將產線移轉至福建新廠。

而合肥欲起的 DRAM 勢力在前爾必達社長坂本幸雄淡出合肥後,由中國本土 NOR Flash 廠商兆易創新(GigaDevice)與中芯國際前執行長王寧國所主導,先前市場傳出兆易創新將與武岳峰等中國基金併購的美國 DRAM 廠 ISSI 合併,成為長江存儲後,另一家 DRAM/NAND Flash 發展兼具的記憶體廠商。然目前還未傳出團隊有相關建廠消息。

除了三廠競逐成為焦點,團隊主導人也頗有淵源,主導合肥團隊的王寧國與長江存儲總經理楊士寧同樣出身中芯國際,先前兩派人馬在中芯鬥爭多年甚至躍上新聞版面,如今再度碰頭;而現任長江存儲營運長的高啟全與聯電資深副總經理陳正坤,相繼待過華亞科、美光體系,中國記憶體爭戰熟人相爭就看誰能帶領團隊率先出線。

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