中國國家記憶體基地武漢動土,要建 3 座全球最大 3D NAND 廠

作者 | 發布日期 2016 年 12 月 30 日 14:07 | 分類 手機 follow us in feedly

傾國家之力的中國長江存儲記憶體基地正式於今 30 日開工,而此項目前身為武漢新芯記憶體基地,在今年 3 月底舉行動土典禮,卻在歷經中國紫光與武漢新芯合體後,重新找地建新廠,強調要打造全球單座潔淨室面積最大的 3D NAND Flash 新廠!



中國紫光集團今 30 日在中國武漢東湖高新區舉行動土典禮,宣布中國國家記憶體基地正式開工,該建設項目聯合紫光集團、國家集成電路產業地方基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投等共同出資,項目總投資金額達 240 億美元。除了紫光暨長江存儲董事長趙偉國,包含中國工信部副部長劉利華、工信部信息司司長刁石京、大基金總經理暨長江存儲副董事長丁文武都參加動土典禮。

紫光集團暨長江存儲董事長趙偉國趙偉國典禮中強調,國家記憶體基地正式動土開工不僅僅是一個項目的開工,更代表中國記憶體晶片規模化發展零的突破,也是「國家戰略推動、地方大力支持、企業市場化運作」新模式的探索,而記憶體基地也是中國積體電路產業單向投資最大的項目。

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記憶體基地位於中國武漢東湖高新區「武漢未來科技城」,據悉,此項目為今年 5 月才動土的武漢新芯記憶體基地前身,而在 7 月武漢全城淹水後,中國紫光與武漢新芯合組長江存儲公司,高層在重新視察後,稍稍南移同位於武漢東湖高新區的豹澥地段。

該地佔地 1968 公畝(約 595 萬坪),官方宣布將建設全球單座潔淨室面積最大的  3D NAND Flash 廠房 3 座,以及 1 座總部大樓和落干配套建築,核心廠房與設備每平方公尺投資將超過 3 萬美元,同樣預期於 2018 年完成建廠投產,2020 年完成整個項目,總產能同先前目標,將達到 30 萬片一個月,官方預估年產值逾 100 億美元。

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(圖片來源:科技新報)

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