中國國家記憶體基地武漢動土,要建 3 座全球最大 3D NAND 廠

作者 | 發布日期 2016 年 12 月 30 日 14:07 | 分類 手機 , 會員專區 follow us in feedly


傾國家之力的中國長江存儲記憶體基地正式於今 30 日開工,而此項目前身為武漢新芯記憶體基地,在今年 3 月底舉行動土典禮,卻在歷經中國紫光與武漢新芯合體後,重新找地建新廠,強調要打造全球單座潔淨室面積最大的 3D NAND Flash 新廠!

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