中國記憶體國家隊豪言:2020 年追上世界級大廠

作者 | 發布日期 2017 年 01 月 16 日 19:21 | 分類 記憶體 follow us in feedly

中國半導體國家隊紫光集團與武漢新芯在日前合併,組成長江存儲全力發展記憶體,其傾國家之力建設的國家記憶體基地也於 2016 年底動工,中國記憶體之路到底走到什麼境地?從前武漢新芯執行長、現任長江存儲執行長楊士寧參與技術論壇的言論,或能透露更多端倪。



中國半導體產業交流平台 IC 咖啡 14 日在中國上海舉辦了「匠心獨運、卓越創芯」技術峰會,前武漢新芯執行長、現任長江存儲執行長楊士寧以「發展記憶體產業的戰略思考」為題進行演講,會中也透露了長江存儲的記憶體發展策略,與目前技術進展。

武漢新芯原為中國選定的記憶體發展主力廠商,當時武漢新芯以 NAND Flash 做切入,展開一連串布局,包含在 2015 年與現已併入賽普拉斯(Cypress)的飛索半導體(Spansion)技術合作,在武漢新芯與紫光合併組成長江存儲後,仍維持當時的發展策略,以 3D NAND Flash 做為策略發展重點。

對此,楊士寧指出,選擇 3D NAND 為突破口是企業需求、外部機遇與市場動力的吻合,是技術問題,更是經濟問題。他進一步解釋道,DRAM 與 2D NAND 都面臨競爭對手折舊後設備的大量產能,而 3D NAND Flash 增量巨大,且為目前眾記憶體廠商爭相競逐發展的新領域,擁有較佳的發展機會。

楊士寧透露,長江存儲 32 層 3D NAND Flash 發展順利,產品指標也良好,預計將在 2019 年實現產能滿載。甚至豪言,要在 2019 年與記憶體前幾大業者技術差距拉近至半代,並於 2020 年追上世界領先技術。

先前有傳聞,長江存儲預計在 2017 年發展出 32 層堆疊 3D NAND Flash 產品,對此長江存儲今 16 日特地發布消息強調,公司從未發表過 32 層 3D NAND 在今年量產的訊息。

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(首圖來源:shutterstock)

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