中國記憶體國家隊豪言：2020 年追上世界級大廠

中國半導體國家隊紫光集團與武漢新芯在日前合併，組成長江存儲全力發展記憶體，其傾國家之力建設的國家記憶體基地也於 2016 年底動工，中國記憶體之路到底走到什麼境地？從前武漢新芯執行長、現任長江存儲執行長楊士寧參與技術論壇的言論，或能透露更多端倪。

中國半導體產業交流平台 IC 咖啡 14 日在中國上海舉辦了「匠心獨運、卓越創芯」技術峰會，前武漢新芯執行長、現任長江存儲執行長楊士寧以「發展記憶體產業的戰略思考」為題進行演講，會中也透露了長江存儲的記憶體發展策略，與目前技術進展。

武漢新芯原為中國選定的記憶體發展主力廠商，當時武漢新芯以 NAND Flash 做切入，展開一連串布局，包含在 2015 年與現已併入賽普拉斯（Cypress）的飛索半導體（Spansion）技術合作，在武漢新芯與紫光合併組成長江存儲後，仍維持當時的發展策略，以 3D NAND Flash 做為策略發展重點。

對此，楊士寧指出，選擇 3D NAND 為突破口是企業需求、外部機遇與市場動力的吻合，是技術問題，更是經濟問題。他進一步解釋道，DRAM 與 2D NAND 都面臨競爭對手折舊後設備的大量產能，而 3D NAND Flash 增量巨大，且為目前眾記憶體廠商爭相競逐發展的新領域，擁有較佳的發展機會。

楊士寧透露，長江存儲 32 層 3D NAND Flash 發展順利，產品指標也良好，預計將在 2019 年實現產能滿載。甚至豪言，要在 2019 年與記憶體前幾大業者技術差距拉近至半代，並於 2020 年追上世界領先技術。

先前有傳聞，長江存儲預計在 2017 年發展出 32 層堆疊 3D NAND Flash 產品，對此長江存儲今 16 日特地發布消息強調，公司從未發表過 32 層 3D NAND 在今年量產的訊息。