原廠先進製程不順,第二季標準型記憶體合約價格續漲 12.5%

作者 | 發布日期 2017 年 04 月 13 日 14:20 | 分類 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

Trendforce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究顯示,由於原廠先進製程品質問題頻傳,第二季標準型記憶體供貨吃緊情況未見舒緩,價格漲幅超乎預期。就目前的成交價格看來,第二季 4GB DDR4 模組合約均價來到 27 美元,相較第一季的 24 美元,上漲幅度約 12.5%。




DRAMeXchange 研究協理吳雅婷表示,進入第二季,全球記憶體市場仍呈現供貨吃緊的狀態,各 PC OEM 大廠正陸續與主要 DRAM 原廠議定新一季的合約價格。原先市場期待供給即將增加,但由於三星、美光等先進大廠在 18 或 17 奈米上都出現品質異常的狀況,使得供貨吃緊的態勢仍未得到紓解,第二季整體 DRAM 確定維持上漲走勢。

三星、美光製程轉進遇瓶頸,供貨吃緊短期難解

從第一季中開始,三星 18 奈米的標準型記憶體產品陸續進入量產階段,但由於先進製程的設計難度高,在生產的過程中容易與部分筆電的平台出現相容性相關的問題,導致產線的不良率過高,影響出貨。目前三星半導體正積極解決該異常狀況,但出貨不順的現況使供貨吃緊的態勢未能舒緩。

同時,美光的 17 奈米產品也在第一季中陸續送交樣品給客戶做測試,目前測試過程並不順利,原先設定在第二季可能量產的目標恐將推遲。

SK 海力士則因為目前沒有進行製程轉換,成為三大廠當中唯一沒有遭遇供貨不順問題的廠商。吳雅婷指出,三星和美光遭逢的狀況說明製程轉進至 20 奈米以下時,在設計、生產的難度都大幅提升,此外,也說明製程微縮能享有的位元成長越來越少,使得供貨端吃緊的態勢若要得到舒緩,還需花費更多時間。

吳雅婷進一步指出,整體而言,第二季記憶體價格持續向上的趨勢仍未改變。除標準型記憶體外,伺服器記憶體的漲幅也相當明顯,預估將達 10%~15%。而行動式記憶體則為目前漲幅最小者,在中國智慧型手機的出貨動能尚未大幅轉強以前,預估第二季行動式記憶體漲幅僅約 5%以下,其中 eMCP 產品因 NAND 同時缺貨的緣故,漲幅較高,約達 5%。

(首圖來源:shutterstock)