三星衝市佔,64 層 NAND 快閃記憶體宣布量產

作者 | 發布日期 2017 年 06 月 15 日 15:30 | 分類 Samsung , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

三星電子 15 日宣布,最新 64 層 256GB V-NAND 快閃記憶體已進入量產,與此同時,三星還將擴展包含伺服器、PC 與行動裝置的儲存解決方案。




64 層 V-NAND 快閃記憶體用稱為第四代 V-NAND 晶片,南韓 ITtimes.com 報導指出,三星為穩固領先優勢,打算於年底把第四代晶片佔每月生產比重拉高至五成以上。

其實,三星今年 1 月已先為某關鍵客戶,打造第一顆內含 64 層 V-NAND 晶片的固態硬碟(SSD),自此之後,三星持續朝行動與消費型儲存市場開發新應用,務求與 IT 產業同步化。

三星 64 層 V-NAND 快閃記憶體傳輸速度達每秒 1Gb,市面上同類型記憶體產品中無人能出其右。若與 48 層產品相比,64 層快閃記憶體的省電效能約高出三成,可靠性則增加約兩城。

三星目前是 NAND 龍頭,2016 年市佔率為 36%,在第四代 NAND 晶片量產後,三星可能陸續調降第二、三代晶片價格,除可進一步擴大市佔外,還將對美光、東芝、Western Digital 等同業造成降價壓力。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:Samsung) 

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