Tag Archives: V-NAND

買新手機別只看 CPU 及記憶體,UFS 4.0 將成為次世代 5G 手機必看功能

作者 |發布日期 2022 年 05 月 09 日 8:03 | 分類 Android 手機 , Samsung , 記憶體

撇開品牌、外觀不談,預算充足的使用者在購買新手機的考量重點莫過於效能,而處理器規格及記憶體大小也成為人們判斷效能高低的普遍依據。但隨著三星推出業界第一款通用快閃記憶體儲存(Universal Flash Storage,UFS)4.0,我們可以預見下一代智慧型手機(尤以 5G Android 手機為然)的效能將會有非常顯著的提升,所以 UFS 4.0 也會成為次世代手機採購上的考量重點之一。 繼續閱讀..

擔心美光超車,三星加快第 8 代 228 層 V-NAND 快閃記憶體量產

作者 |發布日期 2021 年 06 月 09 日 15:30 | 分類 Samsung , 記憶體

日前南韓媒體報導,美商記憶體廠美光 (Micron) DRAM 及 NAND Flash 快閃記憶體生產技術領先南韓三星及 SK 海力士兩大全球市佔率名列前茅的記憶體廠商,消息震撼南韓半導體業界,現在三星出來喊話,將加速生產 200 層或更多層數堆疊的 V-NAND 快閃記憶體。

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英特爾發表 3D NAND 技術,SSD 硬碟容量可望翻倍

作者 |發布日期 2014 年 11 月 24 日 3:34 | 分類 Samsung , 晶片 , 會員專區

SSD 固態硬碟真的快,好厲害,但容量和價格總是讓人望之卻步,在 2.5 吋大小的空間中,受限於記憶晶片的大小與容量,想要在同樣的空間裡獲得更高容量,就得採用更貴的晶片。現在透過新的技術,SSD 的容量將可望再翻倍,價格也將更親民。 繼續閱讀..