三星衝市佔，64 層 NAND 快閃記憶體宣布量產

三星電子 15 日宣布，最新 64 層 256GB V-NAND 快閃記憶體已進入量產，與此同時，三星還將擴展包含伺服器、PC 與行動裝置的儲存解決方案。

64 層 V-NAND 快閃記憶體用稱為第四代 V-NAND 晶片，南韓 ITtimes.com 報導指出，三星為穩固領先優勢，打算於年底把第四代晶片佔每月生產比重拉高至五成以上。

其實，三星今年 1 月已先為某關鍵客戶，打造第一顆內含 64 層 V-NAND 晶片的固態硬碟（SSD），自此之後，三星持續朝行動與消費型儲存市場開發新應用，務求與 IT 產業同步化。

三星 64 層 V-NAND 快閃記憶體傳輸速度達每秒 1Gb，市面上同類型記憶體產品中無人能出其右。若與 48 層產品相比，64 層快閃記憶體的省電效能約高出三成，可靠性則增加約兩城。

三星目前是 NAND 龍頭，2016 年市佔率為 36%，在第四代 NAND 晶片量產後，三星可能陸續調降第二、三代晶片價格，除可進一步擴大市佔外，還將對美光、東芝、Western Digital 等同業造成降價壓力。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：Samsung）