三星宣布量產 90 層堆疊的第 5 代 V-NAND 快閃記憶體
作者 | 發布日期 2018 年 07 月 11 日 10:30 | 分類 Samsung , 會員專區 , 記憶體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
三星宣布量產 90 層堆疊的第 5 代 V-NAND 快閃記憶體


全球記憶體龍頭廠三星 10 日宣布，正式量產堆疊數高達 90 層的第 5 代 V-NAND 快閃記憶體。此產品不但堆疊數為目前最高，且還首發 Toggle DDR 4.0 傳輸介面，使傳輸速率達到 1.4Gbps。

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