傳三星本月將量產 290 層 V-NAND、明年準備推 430 層

韓媒《HankYung》報導，三星電子本月將開始量產第九代 V-NAND（即 3D NAND），將擁有 290 個主動層（active layer）。據報導，三星還計劃明年下半年推出 430 層 NAND 晶片，即第 10 代 V-NAND。

從目前市場消息來看，三星可能決定減少 V-NAND 記憶體的主動層數，來提高產量。三星第 9 代 V-NAND 擁有 290 個主動層，特點是採用雙次堆疊（double-stack）技術，首先建構具邏輯的 CMOS 層，在其頂部建立 145 層 3D NAND 記憶體陣列，然後其上方再建另個 145 層 3D NAND 快閃記憶體。

雖然製程技術複雜，但有望提高數百層 3D NAND 記憶體產品產量，因為製造兩個 145 層 3D NAND 比製造一個 290 層 3D NAND 陣列更容易。

過去有報導稱，三星今年將推出 300 層以上 3D NAND 記憶體，因此跟這項消息互相矛盾，建議更謹慎看待這則消息。與此同時，SK 海力士準備明年初生產 321 層 NAND，而中國長江存儲計畫今年下半年生產 300 層的產品。

（首圖來源：三星）