擔心美光超車,三星加快第 8 代 228 層 V-NAND 快閃記憶體量產

作者 | 發布日期 2021 年 06 月 09 日 15:30 | 分類 Samsung , 記憶體 Telegram share ! follow us in feedly


日前南韓媒體報導,美商記憶體廠美光 (Micron) DRAM 及 NAND Flash 快閃記憶體生產技術領先南韓三星及 SK 海力士兩大全球市佔率名列前茅的記憶體廠商,消息震撼南韓半導體業界,現在三星出來喊話,將加速生產 200 層或更多層數堆疊的 V-NAND 快閃記憶體。

《BusinessKorea》報導,8 日一位三星高層表示,已開發出第 8 代 V-NAND 快閃記憶體解決方案測試晶片,多達 200 多層堆疊。三星將依計劃並消費者需求推向市場。據三星布局,第 8 代 V-NAND 快閃記憶體預計堆疊層數將多達 228 層。

三星目前正在南韓平澤的新晶圓 2 廠測試第 7 代 176 層堆疊 V-NAND 快閃記憶體生產線。預計月產量可達 10,000 片 12 吋晶圓,並從 2021 下半年開始量產,之後立即接續量產第 8 代 V-NAND 快閃記憶體。

這次三星在新產品發前就透露下一代 NAND Flash 快閃記憶體產品的堆疊層數很不尋常。一般來說,不正式公佈 NAND Flash 快閃記憶體產品堆疊層數很常見,原因在堆疊層數很可能會在開發過程發生變化,或因產品路線變化,結果與預期有差異。這次三星似乎是強調 NAND Flash 快閃記憶體產品技術,全球沒有任何競爭者可與三星比較。

三星 NAND Flash 快閃記憶體仍舊穩居全球市場龍頭,但美光 2020 年 11 月宣布量產業界首個 176 層堆疊的 NAND Flash 快閃記憶體,記憶體大廠 SK 海力士也宣布完成 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體生產,競爭對手的成果發表,讓三星過去的技術優勢面臨挑戰。有南韓市場人士表示,三星第 7 代 V-NAND 快閃記憶體開始量產後,將立即加快第 8 代 V-NAND 快閃記憶體量產計畫,就是為了持續保持與競爭對手領先差距。

三星除了介紹第 8 代 V-NAND 快閃記憶體為 228 層堆疊技術,也介紹第 7 代 V-NAND 快閃記憶體採用 176 層堆疊生產。更上一代的第 6 代 V-NAND 快閃記憶體,相當於 100+ 層堆疊產品。另外 ,三星也宣布,將在 2021 年下半年發表其以第 7 代 V-NAND 快閃記憶體的消费等級固態硬碟 ( SSD )。

(首圖來源:Flickr/Insider Monkey CC BY 2.0)