Tag Archives: 2D NAND Flash

擔心美光超車,三星加快第 8 代 228 層 V-NAND 快閃記憶體量產

作者 |發布日期 2021 年 06 月 09 日 15:30 | 分類 Samsung , 記憶體

日前南韓媒體報導,美商記憶體廠美光 (Micron) DRAM 及 NAND Flash 快閃記憶體生產技術領先南韓三星及 SK 海力士兩大全球市佔率名列前茅的記憶體廠商,消息震撼南韓半導體業界,現在三星出來喊話,將加速生產 200 層或更多層數堆疊的 V-NAND 快閃記憶體。

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美光、英特爾在 NAND Flash 上分手主因,雙方技術發展態度不一致

作者 |發布日期 2018 年 05 月 28 日 17:00 | 分類 晶片 , 會員專區 , 記憶體

隨著近年來 NAND Flash 市場供不應求,價格不斷高漲的情況下,使得投資者的眼光眼開始關注到 NAND Flash 製造廠的身上。2018 年 1 月份,美系的 NAND Flash 廠商英特爾及美光兩家公司宣布,未來再開發出第 3 代 96 層堆疊的 3D NAMD Flash 後將和平分手。至於兩家公司的分手原因,過去一直沒有明確透露,現在才有消息指出,是因為雙方對未來 NAND Flash 的技術發展態度不相同所導致,美光要轉換到到 CTP 技術陣營,而英特爾則是將堅持 Floating Gate 技術陣營。

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威騰加速 2D NAND 轉向 3D NAND 生產,且 96 層 3D NAND 已開始交貨

作者 |發布日期 2017 年 12 月 15 日 11:50 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體

就在威騰電子 (Western Digital ) 與日本半導體大廠東芝 (Toshiba) 就出售半導體部門,給予貝恩資本 (Bain Capital) 所領軍的美日韓聯盟一事達成和解之後,日前威騰電子召開會議,主要討論關於與東芝合作的各項協議細則。另外,還提出 NAND 快閃記憶體的生產計劃,並宣布開始將 96 層堆疊的 3D NAND 快閃記憶體交付零售商販售。

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