3D NAND 結合 TSV 技術,東芝快閃記憶體容量上看 1TB

作者 | 發布日期 2017 年 07 月 13 日 8:10 | 分類 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

東芝(TOSHIBA)旗下快閃記憶體部門,最近常因分拆、出售消息上新聞版面,但是技術突破並未因此停歇。稍早前才發表包含 96 層堆疊的 3D NAND,以及首款基於 3D NAND 製程生產的 QLC 類型顆粒等消息;而 11 日,東芝又再宣布 3D NAND 結合 TSV 技術,單一顆粒容量將能達到 1TB。



2015 年夏天,東芝曾發表 TSV(Through-Silicon Via,直通矽晶穿孔)技術導入應用消息,取代傳統打線接合(Wire bonding)的裸晶堆疊封裝技術,能夠提高產品資料傳輸吞吐量,並且降低消耗功率。11 日又再宣布,正火熱的 3D NAND 率先導入 TSV 技術應用,傳輸速率、容量、功耗表現又將創下新紀錄。

這款 BiCS FLASH 本質上是屬於 TLC 架構類型,將以 48 層堆疊 3D NAND 製程,結合 TSV 技術進行生產,其 Toggle DDR 介面具有 1066Mbps 傳輸速率。Toshiba 所標示裸晶堆疊封裝數量,雖然維持既有的 8、16 層,但是已經足以提供單顆容量達 512GB、1TB 產品,意味單一裸晶容量有 512Gbit(64GB)這麼大。

▲ TSV 技術應用示意圖。

東芝今年 2 月曾發表 512Gbit 產品訊息,但那是基於 64 層堆疊的 3D NAND,現在導入 TSV 技術應用的 3D NAND 只有 48 層,可見未來還有容量密度提升空間。東芝已在 6 月試產,正式樣品將於下半年陸續出貨,並預定 8 月在美國舉行的 Flash Memory Summit 活動,展出與介紹這項技術產品。

(本文由 T客邦 授權轉載;首圖來源:東芝

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