3D NAND 結合 TSV 技術,東芝快閃記憶體容量上看 1TB

作者 | 發布日期 2017 年 07 月 13 日 8:10 | 分類 會員專區 , 記憶體 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


東芝(TOSHIBA)旗下快閃記憶體部門,最近常因分拆、出售消息上新聞版面,但是技術突破並未因此停歇。稍早前才發表包含 96 層堆疊的 3D NAND,以及首款基於 3D NAND 製程生產的 QLC 類型顆粒等消息;而 11 日,東芝又再宣布 3D NAND 結合 TSV 技術,單一顆粒容量將能達到 1TB。

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