中國記憶體基地 1 號廠房明年投產,年產值估逾百億美元

作者 | 發布日期 2017 年 09 月 29 日 15:30 | 分類 中國觀察 , 晶片 , 記憶體 follow us in feedly

新華社報導,中國總投資金額達 240 億美元的國家記憶體基地專案(一期)的一號生產及動力廠房於 28 日提前封頂,預計 2018 年起投入使用;待新廠全面建成後,該專案年產值預估將超過 100 億美元。



中國國家記憶體基地專案位於武漢東湖高新區武漢未來科技城,一期工程於 2016 年 12 月 30 日正式開工建設,規劃 3 座全球單座潔淨面積最大的廠房、一座總部研發大樓和其他若干配套建築,其核心生產廠房和設備每平方公尺的投資強度超過 3 萬美元。

中國國家記憶體基地專案是湖北省單體投資最大的高科技產業專案,專案一期達產後,預計可實現月產能 30 萬片 12 吋晶圓,年產值將超過 100 億美元,預計到 2030 年月產能將提升至 100 萬片。

據了解,目前,武漢東湖高新區已為中國國家記憶體基地專案規劃建設 1,100 畝配套產業園區和 1,500 畝國際社區用地,正加快引進產業鏈頂級配套企業和國際化人才。同時亦加快建設武漢國際微電子學院,組建長江晶片研究院、國家先進存儲產業創新中心、存儲晶片聯盟、國家 IP 交易中心等,致力打造世界級的積體電路產業創新中心。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:Flickr/Santi CC BY 2.0)

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