近日有研究團隊基於原子級薄度的半導體設計出一種記憶體，除了具有良好的性能，也可以在完全不需要電力輔助的情況下，用光線就能消除儲存資料，團隊認為這種新的記憶體在系統整合型面板（System on Panel）上，具有十分大的應用潛力。
Phys.org 報導，復旦大學和中國科學院微電子研究所的 Long-Fei He 及相關研究人員最近在新的應用物理學快報（AIP）期刊上發表了一個關於新型態記憶體的論文。
由於大多數現有的記憶體技術都太過笨重，無法整合應用在顯示面板上，研究人員一直都在研究全新的設計和材料，試圖製造出同樣具有良好性能、卻能超薄的儲存設備。
在這項新的研究中，研究人員透過二維過度金屬材料「二硫化鉬」（MoS2）的應用，創造出一種原子級薄度的半導體，它的電導率（conductivity）可以被精細的調整，進而形成具有高開關電流比的記憶體基礎元件。
除此之外，團隊也在測試中證實，這類型記憶體具有運行速度快、大容量的記憶體空間和優異的保存性，研究人員估計，即使處在 85°C（185°F）的高溫下 10 年，儲存空間仍可以保存原有的 60% 左右，對於實際應用來說仍然足夠。
過去已有研究證實二硫化鉬具有光敏性（photoresponsive），這意味著一些性質可以運用光來控制，為了瞭解實際應用情況，團隊也實際進行了相關實驗，結果他們發現，當光線照射到已編程的存儲設備上時，儲存資料被完全消除，但同時運用電壓抹除資訊的方式也仍然可以使用。
合著人 Hao Zhu 表示，團隊目前正在研究透過編程可控的光脈衝波長和時間，來大規模整合這種儲存元件。研究人員相信未來這種儲存設備，將會在系統整合型面板的應用上扮演重要角色。
（首圖來源：Flickr/Rusty Clark ~ 100K Photos CC BY 2.0）
