中國團隊設計出新型態光敏感性半導體記憶體,具有 SoP 面板的應用潛力

作者 | 發布日期 2017 年 12 月 30 日 21:02 | 分類 尖端科技 , 材料、設備 , 記憶體 follow us in feedly

近日有研究團隊基於原子級薄度的半導體設計出一種記憶體,除了具有良好的性能,也可以在完全不需要電力輔助的情況下,用光線就能消除儲存資料,團隊認為這種新的記憶體在系統整合型面板(System on Panel)上,具有十分大的應用潛力。



Phys.org 報導,復旦大學和中國科學院微電子研究所的 Long-Fei He 及相關研究人員最近在新的應用物理學快報(AIP)期刊上發表了一個關於新型態記憶體的論文

由於大多數現有的記憶體技術都太過笨重,無法整合應用在顯示面板上,研究人員一直都在研究全新的設計和材料,試圖製造出同樣具有良好性能、卻能超薄的儲存設備。

在這項新的研究中,研究人員透過二維過度金屬材料「二硫化鉬」(MoS2)的應用,創造出一種原子級薄度的半導體,它的電導率(conductivity)可以被精細的調整,進而形成具有高開關電流比的記憶體基礎元件。

除此之外,團隊也在測試中證實,這類型記憶體具有運行速度快、大容量的記憶體空間和優異的保存性,研究人員估計,即使處在 85°C(185°F)的高溫下 10 年,儲存空間仍可以保存原有的 60% 左右,對於實際應用來說仍然足夠。

過去已有研究證實二硫化鉬具有光敏性(photoresponsive),這意味著一些性質可以運用光來控制,為了瞭解實際應用情況,團隊也實際進行了相關實驗,結果他們發現,當光線照射到已編程的存儲設備上時,儲存資料被完全消除,但同時運用電壓抹除資訊的方式也仍然可以使用。

合著人 Hao Zhu 表示,團隊目前正在研究透過編程可控的光脈衝波長和時間,來大規模整合這種儲存元件。研究人員相信未來這種儲存設備,將會在系統整合型面板的應用上扮演重要角色。

(首圖來源:Flickr/Rusty Clark ~ 100K Photos CC BY 2.0)