中國首批 32 層 3D NAND 快閃記憶體晶片料今年內量產

作者 | 發布日期 2018 年 04 月 12 日 11:00 | 分類 中國觀察 , 晶片 , 會員專區 Telegram share ! follow us in feedly


新華社報導,中國位於武漢「中國光谷」的國家記憶體基地專案晶片生產機台 11 日正式進場安裝,這表示國家記憶體基地從廠房建設階段進入量產準備階段,中國首批擁有完全自主智慧財產權的 32 層 3D NAND 快閃記憶體晶片將於年內量產,填補中國在主流記憶體領域的空白。

本篇文章將帶你了解 :
  • 中國首批 32 層 3D NAND 快閃記憶體晶片料今年內量產