中國首批 32 層 3D NAND 快閃記憶體晶片料今年內量產

作者 | 發布日期 2018 年 04 月 12 日 11:00 | 分類 中國觀察 , 晶片 , 記憶體 follow us in feedly

新華社報導,中國位於武漢「中國光谷」的國家記憶體基地專案晶片生產機台 11 日正式進場安裝,這表示國家記憶體基地從廠房建設階段進入量產準備階段,中國首批擁有完全自主智慧財產權的 32 層 3D NAND 快閃記憶體晶片將於年內量產,填補中國在主流記憶體領域的空白。



目前,中國通用記憶體基本全部依賴進口,國家記憶體基地於 2017 年成功研發中國首顆 32 層 3D NAND 快閃記憶體晶片;這顆耗資 10 億美元、由 1 千人團隊歷時 2 年自主研發的晶片,是中國在製程上最接近國際高階水準的主流晶片,可望使中國進入全球儲存晶片第一梯隊,有力提升「中國晶片」在國際市場的地位。

據了解,中國國家記憶體基地專案 2016 年由紫光集團聯合國家積體電路產業投資基金、湖北積體電路產業投資基金、湖北科投共同投資建設,總投資 240 億美元,專案一期總產能將達到 30 萬片 / 月,年產值將超過 100 億美元。

紫光集團表示,今年 10 月設備將點亮投產,預計 2019 年底 64 層快閃記憶體產品將實現加速量產。未來十年,紫光集團計劃至少還將投資 1,000 億美元,相當於平均每年投入 100 億美元,進一步拉近在高階晶片領域與先進國家的距離。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)