美擴大對華為禁令，記憶體產業短期尚不致受到實質衝擊

根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查顯示，美國商務部工業和安全局（BIS）於 5 月 15 日公布針對華為出口管制的新規範，未來使用美國半導體相關設備的外國晶片製造商必須要特別申請核准，才可對華為、海思以及其他相關公司出貨。雖然相關法條仍存有進一步解釋的空間，但目前觀察對於記憶體的採購（含 DRAM 與 NAND Flash）影響有限，各原廠仍可繼續對華為出貨。但值得注意的是，美國對於華為或整體中國品牌的規範力道會持續增強，因此對於後續記憶體的供給或需求面的衝擊還需要持續觀察評估。

以記憶體的需求面來說，主要觀察重點在於禁令是否會衝擊華為的終端出貨表現（涵蓋智慧型手機、筆記型電腦、伺服器相關以及網通產品）。TrendForce 認為，對於目前關鍵零組件庫存量相對足夠的智慧型手機、筆電與伺服器等產品而言，短期內的出貨衝擊較低；主要影響可能是在 5G 基地台、網通類別產品的後續出貨動能。然而，考量禁令仍有 120 天的緩衝期，加上華為先前為避免受禁制令影響，已預先拉高零組件庫存，因此 TrendForce 認為，禁令對華為終端出貨造成具體衝擊的時間點最快會落在 2020 年第四季以後。

TrendForce 認為，目前所有記憶體原廠生產的 DRAM、NAND Flash 以及其他相關解決方案的產品設計並未針對華為、海思以及其相關公司特別研發，因此對華為等公司的出貨不受此次禁令的限制。至於美國的記憶體供應商（美光與英特爾）也因為先前已取得特殊出貨許可，因此仍可照常對華為出貨。

不過，未來美國對華為其相關公司甚至整體中國品牌的制裁力道可能會繼續增強，因此，就算記憶體的供給面順暢無虞，但終端出貨的衝擊仍將難以避免。先前在新冠肺炎疫情持續擴散的考量下，TrendForce 已全面下修 2020 年 DRAM 與 NAND Flash 均價的預估，而美國對整體中國品牌的相關制裁將使得後續價格面臨更大壓力。

另一方面，近年來中國對半導體生產自主化的急迫性快速增加，其中最重要的環節就是記憶體相關產品。目前長江存儲即將量產 128 層 3D NAND 產品，而長鑫存儲已經有 19 奈米的 DDR4 產品小量問世，足以代表中國近 3 到 5 年來在記憶體自主研發上已得到初步成果。在美國對中國制裁力道持續增強的態勢下，中國的記憶體發展勢必會更為積極，以降低對其他國家的依賴程度。

（首圖來源：shutterstock）

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