全球 DRAM 晶片製程技術持續進化。據韓媒報導，南韓半導體巨頭三星電子（Samsung Electronics）開出業界第一槍，順利使用極紫外光（EUV）微影技術來量產第三代 10 奈米級（1z 奈米）LPDDR5 DRAM 晶片，有望將 DRAM 製程向個位數奈米製程推進。
《BusinessKorea》8 月 31 日報導，三星 30 日宣布，位於南韓平澤市的第二條半導體生產線，率先量產全球最先進的第三代 10 奈米級 LPDDR5 DRAM 晶片，擁有業界最高水準的容量和速度。
今年 2 月，三星已使用第二代 10 奈米級（1y 奈米）製程技術量產 16GB LPDDR5 DRAM。短短 6 個月後，該公司便進一步強化高階行動 DRAM 的產品陣容，並成功導入新一代晶片生產技術。
SK 海力士（SK Hynix）為全球第二大 DRAM 廠，市占率僅次於三星。報導指出，SK 海力士正在研發以 EUV 技術生產第 4 代 10 奈米級製程（1a 奈米）的 DRAM，目標是在 2021 年實現量產，進度大約較三星落後半年至一年。
根據全球市場研究機構集邦科技（TrendForce）的數據，全球 DRAM 市場由三星和 SK 海力士穩居冠亞軍，第二季市占率分別達到 43.5%、30.1%。
三星最新第三代 10 奈米級 LPDDR5 DRAM 晶片，傳輸速度最高可達 6,400MB/s，比目前市面上旗艦級手機所用的 12GB LPDDR5 行動 DRAM（5,500MB/s）快 16%。據三星表示，搭載 16GB 記憶體的智慧型手機，每秒可傳送 51.2GB 的資料，約相當於 10 部 Full HD 電影。
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