Tag Archives: 晉華集成電路

打造 32 奈米 DRAM,聯電 400 天奇襲密謀

作者 |發布日期 2018 年 08 月 18 日 0:00 |
分類 晶片 , 記憶體 , 零組件

聯電是全球第 3 大晶圓代工廠,過去 1 年,做晶圓代工的聯電,卻跨界和專做 DRAM(動態隨機存取記憶體)的美國美光公司打起全球訴訟。去年,美光在台灣和美國控告聯電侵害美光營業祕密,在台灣已遭起訴;今年初,聯電在中國福州,控告美光侵害聯電專利,7 月時,中國福州中級法院發出訴中禁令,禁止美光部分產品在中國販售。你來我往,互不相讓。 繼續閱讀..

聯電技術支援中國晉華的晉江 12 吋廠 7 月份將正式奠基動工

作者 |發布日期 2016 年 07 月 08 日 14:39 |
分類 晶片 , 處理器 , 財經

隨著台積電(TSMC)在中國南京投資 30 億美元的 12 吋廠於 7 日正式奠基,預計 2018 年正式完工投產之後,晶圓代工廠雙雄中的另一家廠商──聯電 (UMC) ,於福建晉江與福建省晉華集成電路(積體電路)公司簽約合作的 12 吋廠,也預計將在 7 月中旬正式動工。未來,在該廠完成興建之後,將負責 DRAM 的技術開發與生產的工作。

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