Thomson Reuters 13 日報導，為了因應智慧型手機/平板電腦用記憶體需求強勁，全球第 2 大 NAND 型快閃記憶體 (Flash Memory) 廠商東芝 (Toshiba) 計畫對旗下 NAND Flash 生產據點「四日市工廠」第5廠房「Fab 5」進行細微化投資、擴增產能。據報導，東芝將投下 400 億日圓更換「Fab 5」現有設備，藉此擴增「Fab 5」產能。據產經新聞指出，上述細微化設備預計將在今年夏天前導入生產。
Thomson Reuters 並指出，關於「Fab 5」的擴建工程（第2期工程）部分，廠房建築預計將在今夏完工，惟東芝將依據明年度（2014 年 4 月起的會計年度）以後的記憶體需求來決定生產設備的導入時間及規模。
東芝於去年 8 月 23 日舉行了動工儀式，正式著手興建 NAND Flash 新廠。該座 NAND Flash 新廠為東芝位於三重縣四日市第三座 12 吋 NAND Flash 廠「Fab 5」的擴建工程，預計將在 2014 年度內（2015年3月底前）開始量產採用最先端細微化技術的高性能 NAND Flash 產品、且之後並計劃於 2015 年度生產採用 3D 結構的 NAND Flash。
據日經指出，該座 NAND Flash 新廠房會將製程技術自目前的 19 奈米提升至 16-17 奈米，且導入量產後，東芝 12 吋晶圓月產能將可較目前的 45 萬片提升約 20%。
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