突破細微化極限,東芝與 Hynix 攜手研發奈米壓印技術

作者 | 發布日期 2015 年 02 月 06 日 9:50 | 分類 晶片 , 會員專區 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


全球第 2 大 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)廠商東芝(Toshiba)5 日發布新聞稿宣布,為加快次世代半導體露光技術「奈米壓印技術(Nano-imprint Lithography;NIL)」的研發腳步,已和南韓半導體大廠SK 海力士(SK Hynix)正式簽署契約,雙方技術人員將自 2015 年 4 月起透過東芝橫濱事業所攜手研發 NIL 製程的關鍵技術,目標為在 2017 年實用化。

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