突破細微化極限，東芝與 Hynix 攜手研發奈米壓印技術

全球第 2 大 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）廠商東芝（Toshiba）5 日發布新聞稿宣布，為加快次世代半導體露光技術「奈米壓印技術（Nano-imprint Lithography；NIL）」的研發腳步，已和南韓半導體大廠SK 海力士（SK Hynix）正式簽署契約，雙方技術人員將自 2015 年 4 月起透過東芝橫濱事業所攜手研發 NIL 製程的關鍵技術，目標為在 2017 年實用化。

東芝於去年 12 月和 SK Hynix 就 NAND Flash 侵權案一事達成和解，Hynix 除同意支付東芝 2.78 億美元（約330億日圓）和解金外，雙方當時也宣布將攜手研發被稱為「奈米壓印」的次世代半導體露光技術。

據日經新聞指出，東芝已於 2014 年開始量產全球最先端的 15nm NAND Flash 產品，而就現行技術來看，15nm 被視為是記憶體電路線幅細微化的極限，而東芝期望藉由研發 NIL 技術，突破細微化極限，讓已逼近極限的電路線幅能進一步細微化，以藉此提高產品性能及成本競爭力。

日經指出，東芝目前已和 Canon 攜手研發 NIL 製造設備，而東芝和 SK Hynix 於 NIL 製程技術的研發成果也將回饋至製造設備的研發上。

另據日刊工業新聞指出，東芝期望藉由 NIF 技術的實用化來降低 3D NAND Flash 的成本。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載）