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不用 EUV 也能直上 5 奈米,鎧俠與合作夥伴欲先導入量產

作者 |發布日期 2021 年 10 月 22 日 15:50 | 分類 IC 設計 , 晶片 , 材料、設備

半導體製程技術進入 10 奈米節點後,EUV 曝光設備是不可或缺的步驟,但 EUV 曝光設備每台價格高達 1.5 億美元,且產量有限,讓晶片生產成本驟升。為解決問題,日本記憶體大廠鎧俠(Kioxia)聯合合作夥伴開發新技術,可不使用 EUV 曝光設備就直達 5 奈米。

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突破細微化極限,東芝與 Hynix 攜手研發奈米壓印技術

作者 |發布日期 2015 年 02 月 06 日 9:50 | 分類 晶片 , 會員專區 , 零組件

全球第 2 大 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)廠商東芝(Toshiba)5 日發布新聞稿宣布,為加快次世代半導體露光技術「奈米壓印技術(Nano-imprint Lithography;NIL)」的研發腳步,已和南韓半導體大廠SK 海力士(SK Hynix)正式簽署契約,雙方技術人員將自 2015 年 4 月起透過東芝橫濱事業所攜手研發 NIL 製程的關鍵技術,目標為在 2017 年實用化。

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