不用 EUV 也能直上 5 奈米,鎧俠與合作夥伴欲先導入量產 作者 Atkinson | 發布日期 2021 年 10 月 22 日 15:50 | 分類 IC 設計 , 晶片 , 會員專區 | edit 半導體製程技術進入 10 奈米節點後,EUV 曝光設備是不可或缺的步驟,但 EUV 曝光設備每台價格高達 1.5 億美元,且產量有限,讓晶片生產成本驟升。為解決問題,日本記憶體大廠鎧俠(Kioxia)聯合合作夥伴開發新技術,可不使用 EUV 曝光設備就直達 5 奈米。 文章看完覺得有幫助,何不給我們一個鼓勵 請我們喝杯咖啡 想請我們喝幾杯咖啡? 每杯咖啡 65 元 x 1 x 3 x 5 x 您的咖啡贊助將是讓我們持續走下去的動力 總金額共新臺幣 0 元 《關於請喝咖啡的 Q & A》 留給我們的話 取消 確認 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: DNP , EUV , NAND , NIL , 佳能 , 鎧俠