不用 EUV 也能直上 5 奈米,鎧俠與合作夥伴欲先導入量產

作者 | 發布日期 2021 年 10 月 22 日 15:50 | 分類 IC 設計 , 晶片 , 材料、設備 Telegram share ! follow us in feedly


半導體製程技術進入 10 奈米節點後,EUV 曝光設備是不可或缺的步驟,但 EUV 曝光設備每台價格高達 1.5 億美元,且產量有限,讓晶片生產成本驟升。為解決問題,日本記憶體大廠鎧俠(Kioxia)聯合合作夥伴開發新技術,可不使用 EUV 曝光設備就直達 5 奈米。

日本媒體報導,鎧俠從 2017 年開始與半導體設備廠佳能及光罩、範本等半導體零組件製造商 DNP 合作,在三重縣四日市鎧俠工廠研發奈米壓印微影 (NIL) 量產技術。鎧俠已掌握 15 奈米量產技術,目前正在進行 15 奈米以下研發,預計 2025 年達成。

相較已商用化的 EUV 技術半導體製程,鎧俠表示 NIL 技術減少耗能,且大幅降低設備成本。原因在 NIL 技術微影製程較單純,耗電量可壓低至 EUV 技術 10%,並讓設備投資降至僅 EUV 設備 40%。EUV 曝光設備由荷蘭商 ASML 獨家生產,不但價格高昂,且需許多檢測設備配合。雖然 NIL 技術有許多優點,但現階段量產仍有不少問題有待解決,包括更容易因灰塵造成瑕疵。

對鎧俠來說,NAND 零組件因採取 3D 立體堆疊結構,更適應 NIL 技術製程。鎧俠也表示,已解決 NIL 基本技術問題,正在最佳化量產技術,希望較其他競爭對手率先導入 NAND 生產。若鎧俠成功引進 NIL 技術,可望彌補投資設備競賽的不利局面,又符合減少碳排放的需求。

據 DNP 說法,NIL 量產技術電路微縮程度可達 5 奈米節點,DNP 從 2021 年春天開始就據設備規格值模擬。DNP 透露,半導體製造商對 NIL 量產技術詢問度增加,顯示不少廠商寄予厚望。另一個合作夥伴佳能致力將 NIL 量產技術廣泛用於製作 DRAM 及 PC 用 CPU 等邏輯晶片設備,供應更多半導體製造商,將來也希望用於手機應用處理器等最先進製程。

(首圖來源:Unsplash)

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