2023 年 10 月，日本曝光機大廠佳能（Canon）公布採用奈米壓印技術（NIL）的曝光設備 FPA-1200NZ2C，預計為小型半導體製造商在生產先進晶片開闢了一條新的途徑。近日，佳能負責新型曝光機開發的高層武石洋明接受了媒體的採訪表示，FPA-1200NZ2C 會在 2024 年至 2025 年間出貨。
傳統曝光技術是利用光學圖像投影的原理，將積體電路的微細結構轉移到矽晶圓上，而奈米壓印不同於傳統的複雜解決方案，而是類似於印刷技術，直接通過範本進行大量複製，壓印形成圖案。佳能開發奈米壓印技術已經超過 15 年，希望由一種新的方法來以降低成本、提高使用能源效率。
根據佳能的介紹，奈米壓印曝光設備的功耗比 ASML 的 EUV 曝光設備降低了 90%，同時設備的投資也能降低至 EUV 曝光設備的 40% 水準。使用新款奈米壓印曝光設備可以用來製造 5 奈米的晶片，未來可以持續發展到生產 2 奈米製程節點的晶片。佳能表示，奈米壓印曝光設備並不是用來取代現有的 EUV 和 DUV 曝光設備，而是兩者在產線中共存。而該項設備除了能製造邏輯晶片，還能用於製造 3D NAND Flash 快閃記憶體。
目前，由於半導體市場對於曝光設備的需求很高，佳能可能利用更便宜的設備和生產成本作為賣點，找到進一步切入到半導體設備市場。不過，奈米壓印技術與 EUV 及 DUV 曝光設備都不相容，想加入到半導體製造商現有的製造流程會有些複雜。不過，市場也有消息指出，在受到美國對半導體設備的嚴格出口限制下，中國廠商目前很難購到到先進的 EUV 和 DUV 曝光設備。而號稱便宜又效率佳的佳能奈米壓印曝光設備，是不是譨為中國半導體產業發展解套，引起關注。
(首圖來源：佳能)
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