與台積電較勁！三星：10 奈米 FinFET 正式納開發藍圖

三星電子(Samsung Electronics Co.)為了避免客戶轉單給台積電，已正式將 10 奈米 FinFET 納入半導體製程技術的開發藍圖（Roadmap）！

Androidheadlines.com、Fudzilla 22 日報導，三星晶圓代工事業部(Samsung Foundry)發言人 Kelvin Low 21 日在 YouTube 發布影片宣布，三星已在 6 月份正式將 10 奈米 FinFET 製程納入開發藍圖，預計明（2016）年底就能進入量產的階段。

他指出，對行動、消費與網路產品的晶片設計商而言，10 奈米 FinFET 能顯著提升晶片的運算效能與省電表現。

三星、台積電相互較勁的意味相當濃厚。台積電甫於 5 月 21 日發布新聞稿宣布，位於中科的台積晶圓十五廠新建廠區，將用於 10 奈米技術的量產，預計在明年中開始安裝機台，並於後年生產。

EE Times 隨即於 5 月 22 日報導，三星在一場公司會議上宣布了 10 奈米的消息，並透露這個製程明（2016）年底就會全面投產，與台積電的時程大致相同。三星晶圓代工部門副總裁 Hong Hao 表示，該公司的 10 奈米製程在電力、面積與效能方面擁有強大優勢，應用的市場非常廣泛。

Fudzilla 日前報導，被台積電寄予厚望的 10 奈米研發進度目前已上軌道，預計在 2016 年第四季導入量產、2017 年第一季出貨。另外，台積電對 10 奈米與 7 奈米的製程布局採同步進行，台積電共同執行長劉德音（Mark Liu）透露更先進的 7 奈米在 2017 年第二季也將進入製樣認證階段，距離 10 奈米製樣僅相隔 5 季的時間，如與英特爾（Intel Corp.）放慢腳步作對照，台積電衝刺先進製程顯得非常積極。

VR-Zone、G 4 Games 2 月 25 日引述 ZDNet Korea 報導，三星電子曾在 2 月 22-26 日於舊金山舉辦的國際固態電路會議（International Solid State Circuit Conference，ISSCC）上展示了全球首見的 10 奈米 FinFET 半導體製程，有望搶在英特爾之前打造出第一款 10 奈米行動晶片組。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載）