Intel 力推嵌入式 DRAM，力拚三星、SK 海力士

英特爾（Intel）半導體龍頭地位搖搖欲墜，與三星電子差距日益縮小，英特爾似乎下決心要扳倒後進，據稱打算力推嵌入式 DRAM（eDRAM），減少對 DRAM 的依賴，讓 DRAM 記憶體大廠三星和 SK 海力士狂冒冷汗。

韓媒 BusinessKorea 1 日報導，當前 DRAM 市場由三星和 SK 海力士稱霸，據傳英特爾想削弱對手，第六代 Skylake CPU 配備 eDRAM，提高圖形運算效能。eDRAM 和 DRAM 不同之處在於，eDRAM 內建在 CPU die 內，DRAM 則和 CPU 各自獨立。業界分析師稱，英特爾先前的 Haswell 和 Broadwell 晶片已內建 eDRAM，原本是實驗性質，如今已成為核心策略。日本和美國的半導體雜誌也說，中長期而言，英特爾或許會整合 CPU 和 DRAM，發展 eDRAM。

報導稱，英特爾作法仿效蘋果，蘋果 A 系列處理器效能極為穩定，數據和圖形處理速度都快過 Android 機種。A 系列晶片 DRAM 小於 Android 機，卻因採用高效能 SRAM 和 CPU 有突出表現。和 SRAM 相比，eDRAM 的優勢在生產成本較低，容量較大。與此同時，英特爾的 3D XPoint 技術也可能重創 DRAM，美國業者獨霸個人電腦和伺服器 CPU，可能會藉此推展新技術，如果 3D XPoint 用於伺服器、電腦、行動裝置，未來可能成為業界主流，逼走 DRAM。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：Flickr/Dick Thomas Johnson CC BY 2.0）