三星超車台積電、英特爾,搶推 10 奈米 SRAM

作者 | 發布日期 2015 年 11 月 18 日 15:00 | 分類 Samsung , 晶片 , 會員專區 follow us in feedly


三星 17 日宣布,獨立領先業界運用 10 奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程生產 SRAM(靜態隨機存取記憶體),意謂著三星 10 奈米製程技術或許已經超越台積電,甚至連晶片龍頭英特爾(Intel)都被三星超車。

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