台積電 3 奈米 SRAM 微縮遭遇瓶頸，成未來新製程 IC 設計新挑戰 |
作者
Atkinson|發布日期
2022 年 12 月 16 日 18:20 |
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外媒報導，按照台積電的規劃，從 2022 年到 2025 年將陸續推出 N3、N3E、N3P、N3X 等 3 奈米製程技術，後續還會有優化後的 N3S 製程，可應用於包括智慧型手機、物聯網、車用電子、以及高效能運算等不同平臺的需求。其中，台積電在 N3 製程節點雖然仍使用 FinFET （鰭式場效應電晶體） 技術。不過，卻可以使用 FINFLEX 技術來擴展性能、功率和電晶體密度，並允許晶片設計人員使用相同的設計工具，為同一晶片上的每個關鍵功能模組選擇最佳選項，進一步提升 PPA （功率、性能、面積）。
新一代 5 奈米製程晶片亮相，相較之前產品面積微縮 24% |
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作者
Atkinson|發布日期
2018 年 05 月 30 日 9:00 |
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在目前全球的晶片製造產業中，除了台積電、格羅方德、三星、英特爾擁有先進的生產技術，以其強大的生產能量可以生產先進邏輯運算晶片之外，愛美科（IMEC）則是在晶圓製造領域中技術研發領先的單位。因此，繼日前台積電與南韓三星陸續透露其在 5 奈米先進製程的布局情況外，愛美科也在上周宣布了一項新的技術，製造了全球最小的 SRAM 晶片，其晶片面積比之前的產品縮小了 24%，未來將可適用於先進的 5 奈米製程技術上。
三星搶用 EUV，宣稱 7 奈米明年下半投產 |
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作者
MoneyDJ|發布日期
2017 年 09 月 12 日 11:10 |
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三星電子力拚晶圓代工業務，宣稱 7 奈米製程將採極紫外光微影（EUV）技術，預計 2018 年下半投產。 繼續閱讀..
狠甩 SK 海力士、美光！三星 10 奈米 DRAM 量產，記憶體脫離 20 奈米世代 |
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作者
liu milo|發布日期
2016 年 04 月 06 日 13:42 |
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相較於 SK 海力士、美光在 2015 年年中 20 奈米才導入量產，加速 20 奈米製程轉換，在 2016 年才要進入 18/16 奈米製程競賽的同時，早已搶先導入 20 奈米的三星，現在直接丟出 10 奈米 8 Gb DDR4 DRAM 量產的震撼彈，意圖大幅甩開對手糾纏。
ISSI 併購戰狂打三個月，中國進軍 DRAM 頻遭搶親 |
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作者
liu milo|發布日期
2015 年 06 月 25 日 17:33 |
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2015 年 3 月 12 日，以武岳峰為首的中國資本企業發表聲明，將以每股 19.25 美元收購美國 DRAM 廠商 ISSI，宣告中國的半導體布局觸角延伸到 DRAM 產業，但邁開的這一步卻始終無法走向下個階段，時經三個月雙方仍在併購談判中原地踏步，很大一部分原因在於殺出賽普拉斯（Cypress）這家程咬金。 繼續閱讀..
