混合記憶體 NVDIMM 現身,用以填補 DRAM 與 NAND Flash 不足

作者 | 發布日期 2016 年 07 月 18 日 14:22 | 分類 晶片 , 會員專區 , 處理器 Telegram share ! follow us in feedly


現行的電腦記憶體,存在著巨大的鴻溝。DRAM 讀寫資料的延遲,僅有數奈秒。而 NAND Flash 的延遲,卻有數微秒,差距達 1,000~10,000 倍左右。為了弭平兩者間的差距,新的技術,NVDIMM 發表!藉由結合 DRAM 以及 NAND Flash 的優點,填補記憶體科技的鴻溝。

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  • 混合記憶體 NVDIMM 現身,用以填補 DRAM 與 NAND Flash 不足