混合記憶體 NVDIMM 現身，用以填補 DRAM 與 NAND Flash 不足
作者 | 發布日期 2016 年 07 月 18 日 14:22 | 分類 晶片 , 會員專區 , 處理器 line share Linkedin share follow us in feedly line share
混合記憶體 NVDIMM 現身，用以填補 DRAM 與 NAND Flash 不足


現行的電腦記憶體，存在著巨大的鴻溝。DRAM 讀寫資料的延遲，僅有數奈秒。而 NAND Flash 的延遲，卻有數微秒，差距達 1,000～10,000 倍左右。為了弭平兩者間的差距，新的技術，NVDIMM 發表！藉由結合 DRAM 以及 NAND Flash 的優點，填補記憶體科技的鴻溝。

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