SK 海力士發表全球最高密度行動 8GB DRAM

SK 海力士周一發表全球最高密度、低耗能行動 DRAM，將應用於未來智慧型手機上。

海力士運用雙通道 16 Gigabit 雙通道晶片打造出低耗電 DDR4X 行動 DRAM，容量達 8GB。以 LPDDR4X 標準而言，SK 海力士新記憶體晶片密度是全球最高，功效則較現有 LPDDR4 提高兩成。（koreaherald.com）

另外，與現有產品相比，8GB LPDDR4X 封裝面積減少三成，厚度減少 1 厘米，這讓手機業者在設計上有更多運用空間。SK 海力士打算推廣新晶片應用範圍至筆電、汽車電子與其他行動裝置。

據市調機構 IHS 預測， 8GB 行動 DRAM 今年將可以看到需求，高階智慧型手機將最為明顯，如三星下一代旗艦機 Galaxy S8 是否會採用 8GB RAM，現已成為市場討論話題。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：SK 海力士）