300 億美元投資案展開！紫光南京廠動土，未來主攻記憶體 作者 liu milo | 發布日期 2017 年 02 月 13 日 13:41 | 分類 晶片 , 會員專區 , 記憶體 | edit 本篇文章將帶你了解 :300 億美元投資案展開！紫光南京廠動土，未來主攻記憶體中國半導體產業近期同樣熱鬧非凡，繼 SK 海力士上週敲定無錫新廠投資案、格羅方德成都建廠動土，紫光南京的 IC 國際城建設項目也在昨 12 日開工，近一週內就有一項投資大案敲定、兩項目正式展開。本篇文章將帶你了解 :300 億美元投資案展開！紫光南京廠動土，未來主攻記憶體 此文章為會員限定，登入即可閱讀全文 會員登入 立刻 加入會員 享有暢讀無阻 <a href='//www5.technews.tw/www/delivery/ck.php?n=a4b3f35b&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='//www5.technews.tw/www/delivery/avw.php?zoneid=59&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a4b3f35b' border='0' alt='' /></a> 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知，時時更新 科技新報粉絲團 訂閱免費電子報 關鍵字: 3D-NAND Flash , dram , 中國 , 半導體 , 紫光 , 趙偉國
