根據韓聯社的報導，南韓記憶體大廠 SK 海力士（SK Hynix）於 10 日宣布，研發出全球首款，容量 256Gb 的第 4 代 72 層堆疊 3D NAND Flash，預計 2017 年下半年量產。而該產品量產後，將超越日前由日本半導體大廠東芝（Toshiba）所推出的容量 256Gb 的 64 層 3D NAND Flash 的儲存密度。
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SK 海力士推出全球首款 72 層 3D NAND Flash，2017 年下半年量產 |
作者
Atkinson |
發布日期
2017 年 04 月 10 日 16:30 |
分類
AI 人工智慧
, Big Data
, 手機
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根據韓聯社的報導，南韓記憶體大廠 SK 海力士（SK Hynix）於 10 日宣布，研發出全球首款，容量 256Gb 的第 4 代 72 層堆疊 3D NAND Flash，預計 2017 年下半年量產。而該產品量產後，將超越日前由日本半導體大廠東芝（Toshiba）所推出的容量 256Gb 的 64 層 3D NAND Flash 的儲存密度。
