東芝搖搖欲墜,三星傳趁勢倍增中國 NAND 產能

作者 | 發布日期 2017 年 05 月 31 日 10:00 | 分類 Samsung , 晶片 , 會員專區 Telegram share ! follow us in feedly


日經新聞 30 日報導,南韓三星電子計劃砸下 10 兆韓圜(約 1 兆日圓)在中國西安工廠設置第 2 條 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)產線,目標在 2019 年將西安工廠月產能提高至現行的 2 倍。該條新產線預計於今年內動工,完工投產後,合併第一條產線產能計算,西安工廠月產能將倍增至 22 萬片(以矽晶圓換算)。三星西安工廠主要生產最先端的 3D NAND Flash 產品。

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