日經新聞 30 日報導，南韓三星電子計劃砸下 10 兆韓圜（約 1 兆日圓）在中國西安工廠設置第 2 條 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）產線，目標在 2019 年將西安工廠月產能提高至現行的 2 倍。該條新產線預計於今年內動工，完工投產後，合併第一條產線產能計算，西安工廠月產能將倍增至 22 萬片（以矽晶圓換算）。三星西安工廠主要生產最先端的 3D NAND Flash 產品。
報導指出，在競爭對手東芝（Toshiba）將心力花費在半導體事業的出售案時，三星期望藉由將中國培育成可和南韓媲美的最先端產品量產據點，藉此穩固全球龍頭位置。南韓證券分析師指出，「在東芝搖搖欲墜的當下，正是展開攻勢的良機。」三星在 DRAM、液晶面板領域，也是在日本廠商投資停滯時、趁勢加碼投資，提高市佔率。
根據 IHS Technology 的資料顯示，2016 年三星 NAND Flash 全球市佔率（以金額換算）達 35.2%，穩居首位，東芝以 19.3% 居次、東芝合作夥伴 Western Digital（WD）以 15.5% 位居第 3。
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