三星野心大不只拚 6 奈米,傳備戰 2020 年 4 奈米製程

作者 | 發布日期 2017 年 06 月 29 日 8:46 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件 line share follow us in feedly line share
三星野心大不只拚 6 奈米,傳備戰 2020 年 4 奈米製程


三星電子為了報復台積電奪單之恨,不只備戰 6 奈米,還打算在 2020 年進入 4 奈米?南韓消息稱,三星砸下 10 億美元投資美國德州奧斯汀廠,替製程微縮備戰。

韓媒 The Investor 27 日報導,本月三星電子將斥資 10 億美元投資德州奧斯汀廠,該廠房負責製造用於行動裝置的系統單晶片(SoC)等。PhoneArena 消息顯示,奧斯汀廠是蘋果 A 系列處理器的重要生產基地。

三星同時公布了晶圓代工的發展路徑,當前主力為第二代 10 奈米 Fin FET,今年準備進一步研發 8 奈米,2018 年進入 7 奈米,2020 年轉入 4 奈米。三星認為第四波工業革命即將到來,屆時物聯網應用將遍地開花,高效能晶片需求倍增,因此提前做好準備。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:三星

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