三星新 V-NAND 記憶體,容量 1Tb

作者 | 發布日期 2017 年 08 月 09 日 17:10 | 分類 Samsung , 晶片 , 會員專區 Telegram share ! follow us in feedly


三星電子 NAND Flash 技術再升級,9 日宣布研發出容量達 1 Tb(terabit)的 3D NAND 晶片,預計明年問世。

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