根據 TrendForce 旗下記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查,由於 DRAM 廠近兩年來產能擴張幅度有限,加上製程轉換的難度,DRAM 供給成長明顯較往年放緩,配合著下半年終端市場消費旺季的推波助瀾,DRAM 合約價自 2016 年中開啟漲價序幕。然而,三星傳出在考慮提高競爭者進入門檻下,可能將擴大 DRAM 產能,恐將改變 DRAM 供給緊俏局面。
正因 DRAM 產業已進入寡占格局,理論上廠商對於高獲利的運作模式樂觀其成,然而,在連續數季記憶體價格上升的帶動下,SK 海力士、美光皆累積許多在手現金。有了豐沛的資源,SK 海力士將在年底進行 18nm 製程轉進,無錫二廠也將在明年興建,預計 2019 年產出;美光藉著股價水漲船高之際宣布現金增資,代表未來在蓋新廠、擴張產能與製程升級上預做準備,此舉無疑激起三星的警戒心,使得三星開始思索 DRAM 擴產計畫。
三星可能採取的擴產動作,除了是因應供給吃緊狀況,最重要的是藉由提高 DRAM 產出量,壓抑記憶體價格上漲幅度。雖然短期內的高資本支出將帶來折舊費用的提升,並導致獲利能力下滑,但三星著眼的是長期的產業布局與保有其在 DRAM 市場的領先地位,以及與其他 DRAM 大廠維持 1~2 年以上的技術差距。此外,明年堪稱中國記憶體發展的元年,三星透過壓低 DRAM 或是 NAND 的價格,將能提升中國競爭者的進入門檻,並使競爭對手虧損擴大、增加發展難度並減緩其開發速度。