NAND 慘、DRAM 也不妙?傳三星平澤廠將大擴產

作者 | 發布日期 2017 年 12 月 04 日 11:00 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件 line share follow us in feedly line share
NAND 慘、DRAM 也不妙?傳三星平澤廠將大擴產


摩根士丹利(大摩)看淡 NAND Flash 價格,引爆記憶體的龐大賣壓。部分分析師強調,DRAM 價格仍穩,記憶體業情況不會太糟。然而,南韓消息透露,三星電子也許有意在南韓平澤(Pyeongtaek)廠大幅增產 DRAM,要是消息為真,將再次重創記憶體業。

韓媒 etnews 4 日報導,三星平澤廠區的半導體一號廠,共有兩層樓。據稱 2 樓無塵室建造進入最後階段,三星訂購首批 3D NAND Flash 設備,估計初期產能為每月 1 萬組。

半導體一號廠的 1 樓設有餐廳和辦公室等,剩餘空間較少,每月只能生產 10 萬組晶片。2 樓空間較多,每月可生產 20 萬組晶片。2 樓分為東西兩翼,東翼預定生產 7 萬組 3D NAND Flash 和 3 萬組 DRAM,西翼預定生產 10 萬組 DRAM,三星不久後應會下單採購 DRAM 設備。

報導稱,要是三星加快投資腳步,並決定把 2 樓多用於生產 DRAM,DRAM 可能供過於求,價格由漲轉跌。業界人士說,記憶體價格取決於三星投資速度;不僅如此,三星的西安廠可能也會投資增產(應為 NAND Flash),料於 2018 年底或 2019 年啟動。

此一消息也許不利美光。大摩分析師之前表示,儘管 NAND Flash 價格走低,DRAM 仍是亮點,將支撐美光股價。霸榮(Barron’s)1 日報導,大摩分析師 Joseph Moore 報告稱,NAND 在美光營運比重占不到三分之一,大摩堅守 NAND 價格將跌的看法,但是由於 DRAM 價格持穩,美光仍有可觀的盈餘成長空間,近來拉回是進場機會。

1 日美光下跌 0.94% 收在 41.99 美元,為連續第 5 天收低。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)